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碳化SiC晶体生长过程的德国IMPAC红外测温仪应用
2024-10-16
在高温区(2000℃)将碳化硅SiC粉末升华,通过温度梯度输送至较冷区域,在碳化硅SiC籽晶上凝聚为晶体。该方法是大规模应用的主流晶体生长技术,具有成熟、简单、低成本等特点,但面临大尺寸衬底制备、缺陷控制和良率提升等技术难点。加热模式包括电感加热和电阻加热,温度需控制在2400℃左右,测温方式多样,如上测温、下测温或上下测温。推荐使用带有视频瞄准的高温计,如IMPAC ISR 6、IGAR 6 Smart和IGA 6,以确保晶体生长品质。