在高温区(2000℃)将碳化硅SiC粉末升华，将碳化硅SiC气体沿着温度梯度输送，在较冷的尾部碳化硅SiC籽品凝聚为晶体。

目前国际主流大规模应用的晶体生长方法，具有技术方案成熟、生长过程简单、设备成本低等特点。技术难点主要为大尺寸衬底制备、缺陷水平控制及良率提升。

加热模式

SiC PVT长晶炉有电感加热和电阻加热加热两种加热模式。

测温方式

温度一般需要控制2400℃上下，由于生产过程不可见，为保证晶体生长品质需要精确调控生长温度，有上测温、下测温、或上下测温等多种形式，高温计通过石英窗口、保温层通孔测试坩埚底部或顶部的温度。

SiC长晶工艺温度监测方案

由于设备结构限制，推荐使用带有视频瞄准的高温计：

推荐一：

IMPAC  ISR 6   ，  1000~3000℃  ，双色，高温，小光斑

推荐二：

IMPAC  IGAR 6  Smart  ，100~2550℃ ，双色，宽量程，低高温兼顾

推荐三：

IMPAC  IGA 6   ，250~2550℃   ，单色，宽量程，低高温兼顾