SiC外延需要严格控制厚度均匀性、掺杂均匀性、缺陷率和生长途率,方法包括化学气相沉积CVD、液相外延LPE、分子束外延MBE等,其中CVD兼备成本适中+外延质量好+生长速度快的优势,应用最广。

该工艺生长温度需要达到最高 1700 ℃，还涉及到多种复杂气氛环境，这对设备结构设计和控制带来很大的挑战。

SiC CVD外延设备一般采用水平热壁式反应腔、水平温壁式反应腔和垂直热壁式反应腔 3 种设备结构原理形式。

在水平热壁单片式外延炉中高温计通过石英窗口以及石墨热壁开孔，可以测试石墨热壁中段的温度。根据现场设备情况，高温计可选用激光瞄准或视频瞄准形式。