碳化硅(SiC)因其优异的高温和低温工作性能在半导体领域备受关注。作为一种宽禁带半导体,碳化硅在极端温度下仍能保持良好的电气性能,具有广泛的应用前景。温度变化会影响碳化硅片的物理、化学和电学性能,高温下其热膨胀、硬度及机械性能改变,低温时则收缩、变脆。Impac IS 50-Si-LO plus测温仪适用于硅片测量,测温范围为400-1600°C,配备光纤及可更换测头,不受电磁干扰,耐温高达250°C,并可根据测量距离选择不同测头,实现小光斑尺寸测量。
红外测温仪的响应速度决定了其捕捉温度瞬间变化的能力,响应时间通常定义为到达后读数的95%能量所需时间。新型红外测温仪的响应时间可达1ms,远快于接触式测温方法。例如,Impac IGA 740测温仪具有6微秒的超快响应时间,适用于测量快速移动物体和快速温度变化。然而,并非所有应用都需要快速响应的红外测温仪,对于静止目标或存在热惯性的热过程,响应时间要求可以放宽。因此,选择红外测温仪时应考虑被测目标的具体情况。