热辐射解决方案推荐：MIKRON黑体炉、黑体辐射源

2024-10-21

黑体炉是科研和工业应用中热辐射研究的关键工具，能够提供接近完美的黑体辐射，支持验证热辐射理论和精确测量物体的热辐射行为。其广泛应用于物理实验、材料科学和热能分析，具备高稳定性和精确温度控制，适用于各种热辐射实验和材料性能测试。此外，提供定制化解决方案，满足不同温度条件下的实验需求，助力科研和工业应用迈向新高度。

3500℃爆炸场瞬态高温测试的解决方案

2024-10-17

针对爆炸场瞬态高温测量需求，建立了红外比色测温系统，通过黑体炉实验标定出Si/Ge双通道比色测温仪的工作参数和测温范围，扩展至3500℃。测温仪响应时间不超过10μs，应用于TNT柱状炸药和云爆剂爆炸场温度测试，为爆炸反应过程诊断和温度毁伤效应评估提供依据。推荐KLEIBER 840系列高速测温仪，适用于激光、工业和研发，具有极快速温度测量、高准确度和多种通信接口等特点。

碳化SiC晶体生长过程的德国IMPAC红外测温仪应用

2024-10-16

在高温区（2000℃）将碳化硅SiC粉末升华，通过温度梯度输送至较冷区域，在碳化硅SiC籽晶上凝聚为晶体。该方法是大规模应用的主流晶体生长技术，具有成熟、简单、低成本等特点，但面临大尺寸衬底制备、缺陷控制和良率提升等技术难点。加热模式包括电感加热和电阻加热，温度需控制在2400℃左右，测温方式多样，如上测温、下测温或上下测温。推荐使用带有视频瞄准的高温计，如IMPAC ISR 6、IGAR 6 Smart和IGA 6，以确保晶体生长品质。

Impac IGAR 6 Smart 红外测温仪——非接触式红外测温解决方案

2024-10-15

Impac IGAR 6 Smart红外测温仪通过其精确的温度测量能力，为金属加工、玻璃制造和陶瓷烧结等高温场景提供了有效的解决方案。该测温仪具备单色、双色及智能模式三种工作模式，适应不同的测量需求，并能在复杂环境中减少测量误差。其快速响应能力和高可靠性设计，使其在动态生产环境和恶劣条件下仍能保持稳定运行。此外，IGAR 6 Smart广泛应用于多个行业，通过自动发射率测定和报警系统，优化生产过程，提升产品质量。

Mikron M330黑体炉：模拟黑体辐射、温度校准

2024-10-14

Mikron M330-US / M330-EU 黑体炉是一款高效稳定且精确度极高的黑体辐射源，适用于从 300°C 到 1700°C 的高温校准需求。其主要特点包括超高发射率、高精确度、长时间稳定性、PID 数字温控、宽温度范围、安全防护以及 NIST 溯源校准证书。该设备广泛应用于红外温度传感器、红外热像仪、光谱仪等高温校准领域，是科研实验室和工业领域中不可或缺的工具。

黑体辐射源原理选型及应用领域

2024-10-12

黑体辐射源是一种能完全吸收和辐射能量的理想物体，其发射率接近1但不等于1。基于普朗克辐射定律，黑体辐射源的能谱密度与温度有特定关系，吸收所有入射辐射后，根据自身温度以各种波长的电磁波形式向外辐射能量。主要技术指标包括发射率、腔口直径、温度均匀性和辐射温度不确定度。按结构形式分为腔式和平面黑体，按温度范围分为高温、中温和低温黑体辐射源。应用领域广泛，包括热处理、高温实验、光学测试、气象学和气候研究、太空探索和卫星导航等。

INFRAMET TCB 系列黑体：专业红外辐射源解决方案

2024-10-11

INFRAMET TCB系列黑体源提供高精度的红外辐射源方案，适用于实验室温度测量和红外检测。其特点包括精准温控、多种发射面规格和简便操作，温度范围从0℃至100℃，可扩展至-40℃至180℃。TCB系列提供多种型号，满足不同应用需求，广泛应用于科研实验、温度测试及红外检测领域。

激光焊接熔池温度场测量的解决方案

2024-10-10

激光焊接技术因其焊缝窄、焊速快、变形小、精度高等优点，广泛应用于工业领域。激光熔池温度场监测技术是激光加工中的关键，对提高加工零件质量至关重要。测量难点包括热像仪波段不适用、激光干扰、密闭腔室测量及数据处理复杂。解决方案采用美国MIKRON的MCS640高温热像仪，具有800至3000°C的温度范围、850nm短波滤镜、多种镜头选择及专业软件配置，能实现动态温度测量、等温分析和实时数据采集。

Impac IGAR 6 Smart 红外测温仪——精准高效的温度测量

2024-10-09

Impac IGAR 6 Smart红外测温仪凭借其先进技术，在100°C至2550°C范围内提供非接触式测量，适用于多种工业应用。其单色、双色和智能模式确保在不同环境下精准测量，2毫秒的响应速度适合高速生产线。设备具备IP65防护等级和不锈钢外壳，适应严苛环境，且双色模式在污染环境中仍能稳定测量。广泛应用于金属加工、玻璃制造等领域，提高生产效率和产品质量。

碳化硅SiC外延工艺温度监测方案

2024-10-08

SiC外延工艺需严格控制厚度、掺杂、缺陷率和生长速率，常用方法包括CVD、LPE和MBE，其中CVD因其成本适中、质量好和生长速度快而应用最广。该工艺需在高达1700℃的高温下进行，涉及复杂气氛环境，对设备设计与控制提出高要求。SiC CVD外延设备主要采用水平热壁、水平温壁和垂直热壁三种结构形式。在水平热壁单片式外延炉中，高温计通过石英窗口和石墨热壁开孔测量温度，可选用激光或视频瞄准形式。