在高温区（2000℃）将碳化硅SiC粉末升华，通过温度梯度输送至较冷区域，在碳化硅SiC籽晶上凝聚为晶体。该方法是大规模应用的主流晶体生长技术，具有成熟、简单、低成本等特点，但面临大尺寸衬底制备、缺陷控制和良率提升等技术难点。加热模式包括电感加热和电阻加热，温度需控制在2400℃左右，测温方式多样，如上测温、下测温或上下测温。推荐使用带有视频瞄准的高温计，如IMPAC ISR 6、IGAR 6 Smart和IGA 6，以确保晶体生长品质。
在高温区(2000℃)将碳化硅SiC粉末升华，将碳化硅SiC气体沿着温度梯度输送，在较冷的尾部碳化硅SiC籽品凝聚为晶体。
目前国际主流大规模应用的晶体生长方法，具有技术方案成熟、生长过程简单、设备成本低等特点。技术难点主要为大尺寸衬底制备、缺陷水平控制及良率提升。
加热模式
SiC PVT长晶炉有电感加热和电阻加热加热两种加热模式。
测温方式
温度一般需要控制2400℃上下，由于生产过程不可见，为保证晶体生长品质需要精确调控生长温度，有上测温、下测温、或上下测温等多种形式，高温计通过石英窗口、保温层通孔测试坩埚底部或顶部的温度。
SiC长晶工艺温度监测方案
由于设备结构限制，推荐使用带有视频瞄准的高温计：
推荐一：
IMPAC ISR 6 ， 1000~3000℃ ，双色，高温，小光斑
推荐二：
IMPAC IGAR 6 Smart ，100~2550℃ ，双色，宽量程，低高温兼顾
推荐三：
IMPAC IGA 6 ，250~2550℃ ，单色，宽量程，低高温兼顾
公网安备号：沪公网安备 31011702007572号
